2015年12月2日--先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子(TSE：6723)宣佈推出新款RJP65T54DPM-E0，它是適用於空調功率因數校正(PFC)電路的功率半導體裝置，並採用中低階空調廣為使用的部分開關(註1)。
現代的空調必須符合高效率及開關噪音抑制標準。RJP65T54DPM-E0為瑞薩第7代絕緣閘雙極電晶體(IGBT)的擴充，以領先業界的1.35 V低飽和電壓(Vce (sat))與低開關噪音實現電源效率。
RJP65T54DPM-E0的主要功能：
(1)領先業界的低功率耗損，非常適合用於空調PFC電路
RJP65T54DPM-E0以瑞薩第7代IGBT技術為基礎，並運用該公司的薄型晶圓技術。RJP65T54DPM-E0已針對空調PFC電路進行最佳化，具備領先業界的1.35 V Vce (sat)，可為PFC電路帶來最低的傳導損耗。
RJP65T54DPM-E0以瑞薩第7代IGBT技術為基礎，並運用該公司的薄型晶圓技術。RJP65T54DPM-E0已針對空調PFC電路進行最佳化，具備領先業界的1.35 V Vce (sat)，可為PFC電路帶來最低的傳導損耗。
(2)低開關噪音排放
RJP65T54DPM-E0具有最小的開關噪音，可減少電磁干擾(EMI)並簡化EMI過濾。
RJP65T54DPM-E0具有最小的開關噪音，可減少電磁干擾(EMI)並簡化EMI過濾。
(3)隔離型TO-3PF封裝
採用隔離型全模製封裝，裝置與散熱片之間無需使用絕緣片。另外，RJP65T54DPM-E0額定最高達Tj=175°C，可提高操作溫度範圍。
採用隔離型全模製封裝，裝置與散熱片之間無需使用絕緣片。另外，RJP65T54DPM-E0額定最高達Tj=175°C，可提高操作溫度範圍。
除了新款IGBT裝置之外，瑞薩目前有三款運用第7代技術進行生產的IGBT裝置，皆適用於完全開關的PFC電路。(RJP65T43DPM-00、RJH65T46DPQ-A0及RJH65T47DPQ-A0)。
供貨時程
RJP65T54DPM-E0 現已開始供應樣品，預定2016年3月開始量產並預估至2017年3月之每月產能可達30萬顆。(供貨時程如有變更，將不另行通知。)關於RJP65T54DPM-E0之主要規格，請參閱附件。(註1)在PFC電路中採用部分開關，IGBT在固定期間開啟以強迫電流流至輸入電感，並提升功率因數。
RJP65T54DPM-E0 現已開始供應樣品，預定2016年3月開始量產並預估至2017年3月之每月產能可達30萬顆。(供貨時程如有變更，將不另行通知。)關於RJP65T54DPM-E0之主要規格，請參閱附件。(註1)在PFC電路中採用部分開關，IGBT在固定期間開啟以強迫電流流至輸入電感，並提升功率因數。
【附件】
RJP65T54DPM-E0產品規格
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Renesas Part Number |
RJP65T54DPM-E0 |
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Order Part Number |
RJP65T54DPM-E0#T2 |
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Collector to emitter voltage VCES |
650 V |
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Gate to emitter voltage VGES |
+/- 30 V |
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Collector current IC |
Tc = 25 °C |
60 A |
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Tc = 100 °C |
30 A |
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Collector peak current iC（peak） |
225 A |
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Junction temperature Tj |
175 °C |
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Collector to emitter saturation voltage VCE(sat) |
1.35 V |
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Gate to emitter cutoff voltage VGE（off） |
5.0 - 7.0 V |
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Fall time Tf |
110 ns |
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Package Information |
TO - 3PF |
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關於瑞薩電子
瑞薩電子株式會社(TSE:6723)為全球第一的微控制器供應商，同時也是SoC系統晶片與各式類比及電源裝置等先進半導體解決方案的領導品牌之一。經由NEC電子(TSE:6723)與瑞薩科技的業務整合，瑞薩電子自2010年4月1日起正式營運，業務範圍則涵蓋了各種應用裝置的研發、設計與生產。總部位於日本的瑞薩電子，子公司遍及全球20個國家，如欲了解更多資訊，請造訪www.tw.renesas.com。
