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ASML新一代浸潤式微影系統TWINSCAN NXT:1980Di正式出貨

本文作者:ASML       點擊: 2015-10-05 14:47
前言:
2015年10月5日--全球半導體微影技術領導廠商艾司摩爾 (ASML) 宣布其新一代TWINSCAN NXT:1980Di 浸潤式微影系統正式出貨,支援下世代邏輯和動態隨機存取記憶體 (DRAM) 的先進製程要求。NXT:1980Di  展現1.2奈米的指定載台疊對精度 (dedicated chuck overlay) 和優於10 奈米的對焦一致性,強調具備新的格點校準功能 (grid calibrations) 和相關硬體設計,能讓半導體製造商能在下世代製程節點達到更緊密的製程窗口 (process window),同時將晶圓吞吐量提高10%,達每小時275 片晶圓,為半導體製造商提供更具成本效益的解決方案。

ASML深紫外光 (DUV) 產品行銷資深副總裁Bert Koek表示: 「半導體製造商不論是要採用多重曝光技術,或是計畫導入極紫外光 (EUV) 微影系統,都會讓製程複雜度攀升,因此提升浸潤式微影曝光的效能,所有先進半導體製程的必備條件。」
 
Koek進一步指出 :「新一代NXT:1980Di浸潤式微影系統在疊對、對焦控制及生產力等方面的表現均大幅躍進,可為晶片製造商提供一個合乎成本效益的解決方案,從而延長浸潤式微影系統的使用週期,最終達到延續摩爾定律的目標。」
 
在10奈米以下的製程節點,晶片製造商期望同時使用浸潤式微影和下世代EUV微影技術,而這將使系統對疊對的要求更加嚴格。NXT:1980Di是特別設計來符合這種將浸潤式和EUV微影系統混搭的生產環境,可達到約2奈米的匹配機器疊對精度。
 
目前NXT:1980Di已可供貨給客戶;而所有在客戶端的TWINSCAN NXT:1970Ci系統皆可升級至NXT:1980Di的效能等級。ASML也提供舊款TWINSCAN NXT機型升級方案,進一步提高半導體製造商的資本投資效益。此外,ASML還提供NXT:1980Di附加功能,如對比強化型校準感測器(Alignment Sensor),以進一步增強疊對精度,滿足獨特應用需求。
 
關於ASML艾司摩爾
總部位於荷蘭的艾司摩爾是全球晶片微影設備的市場領導者。面對摩爾定律所帶來的技術挑戰,艾司摩爾不斷挑戰技術極限,讓終端消費者能夠用合理的價格買到功能越來越強大、尺寸越來越小的電子產品。30年來,艾司摩爾的成功來自於和客戶及供應商緊密合作所共同創造的領先技術、高效能的流程和優秀的員工。為了吸引國際頂尖人才,艾司摩爾致力於提供一個具啟發性的工作環境,讓全球優秀的工程師聚集在此工作、學習和分享。艾司摩爾在全球16個國家設有70個辦公室,員工超過14,000人,在台灣員工超過900人。ASML為荷蘭阿姆斯特丹證券交易所和美國NASDAQ上市公司。更多關於艾司摩爾及其產品、職缺,請參閱 :
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