2015年10月2日--英飛凌科技股份有限公司 (FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)推出碳化矽 (SiC) 射頻功率電晶體的首款氮化鎵 (GaN)系列產品。憑藉英飛凌領先業界的氮化鎵技術，該款新產品可協助行動基地台的製造商打造體積更小、功能更強大，且具彈性的發射器。相較於既有的射頻功率電晶體，新產品擁有更高的效率、更佳的功率密度與更大的頻寬，提升了建設基礎設備的經濟效益，有效支援現今的蜂巢式網路。此外，由於具備更高的資料傳輸量，因此強化了使用者經驗，為 5G 技術的轉型鋪路。
英飛凌射頻功率電晶體產品線副總裁暨總經理 Gerhard Wolf 表示：「新產品系列結合了創新與蜂巢式基礎架構需求的應用知識，為全球客戶提供新一代的射頻功率電晶體。它們不僅大幅提高作業效能，並減小行動基地台發射器端的體積。此外，隨著轉換至寬能隙半導體技術，讓我們引領著蜂巢式基礎架構的持續演進。」
新射頻功率電晶體運用氮化鎵技術的效能，比現今常見的 LDMOS 電晶體效率提升百分之十，功率密度更達五倍。這意味著，今日所使用基地台發射器 (操作頻率範圍在 1.8 至 2.2 GHz 或 2.3 至 2.7 GHz) 的功率放大器 (PA) 在同樣的功率需求下只需更小的體積。未來碳化矽基板氮化鎵 (GaN on SiC) 產品亦將支援頻率範圍高達 6 GHz 的 5G 行動頻帶。這樣的發展藍圖確保英飛凌能立足於長久的專業知識和最先進的生產技術，穩健發展其射頻電晶體技術。
卓越的設計彈性加上支援 4G 次世代技術，是 GaN 裝置帶給射頻電晶體應用的另一項額外優勢。新產品擁有 LDMOS 兩倍的射頻頻寬，因此一台功率放大器就能支援多重操作頻率。同時，它們也提供發射器更大的瞬間頻寬，允許載體使用 4.5G 蜂巢式網路指定適用的資料聚合技術而提高傳輸量。
領先業界的 GaN 技術產品組合
英飛凌於今年初宣布收購國際整流器公司 (International Rectifier) 之後，進一步擴充了關於 GaN 的專利產品組合，並擴展了矽基板氮化鎵 (GaN/Si) 產品、GaN/Si 磊晶製程，以及 100 V 至 600 V 的技術。公司亦宣布一項策略性合作，旨在將強化模式的矽基板氮化鎵電晶體結構整合至英飛凌的表面黏著裝置 (SMD) 封裝，提供高效易用的 600 V 氮化鎵功率裝置，並提供雙重供應源的額外優勢。
英飛凌於今年初宣布收購國際整流器公司 (International Rectifier) 之後，進一步擴充了關於 GaN 的專利產品組合，並擴展了矽基板氮化鎵 (GaN/Si) 產品、GaN/Si 磊晶製程，以及 100 V 至 600 V 的技術。公司亦宣布一項策略性合作，旨在將強化模式的矽基板氮化鎵電晶體結構整合至英飛凌的表面黏著裝置 (SMD) 封裝，提供高效易用的 600 V 氮化鎵功率裝置，並提供雙重供應源的額外優勢。
因此，英飛凌提供客戶完整的系統專業知識以及業界最全面性的氮化鎵技術與產品系列。此外，針對英飛凌表面黏著裝置封裝中的常關型氮化鎵功率裝置，英飛凌擁有業界最卓越的製造能力、產能以及第二供貨源。英飛凌擁有全球領先的 LDMOS 和氮化鎵技術，得以根據客戶需求提供最佳的解決方案。
關於英飛凌
英飛凌科技股份有限公司是全球半導體領導廠商，致力於讓生活更簡單、更安全、更環保。英飛凌的微電子是進化未來的關鍵技術。2014會計年度 (截至9月底)，公司營收為 43 億歐元，全球員工約 29,800 名。2015 年1 月，英飛凌併購美商國際整流器公司 (International Rectifier)，2014 年會計年度(截至6月底) 營收為 11億美元，員工人數約4,200名。
英飛凌科技股份有限公司是全球半導體領導廠商，致力於讓生活更簡單、更安全、更環保。英飛凌的微電子是進化未來的關鍵技術。2014會計年度 (截至9月底)，公司營收為 43 億歐元，全球員工約 29,800 名。2015 年1 月，英飛凌併購美商國際整流器公司 (International Rectifier)，2014 年會計年度(截至6月底) 營收為 11億美元，員工人數約4,200名。
英飛凌於德國法蘭克福證券交易所上市(交易代碼：IFX)，並於美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier 掛牌(交易代碼：IFNNY)。
