2015年8月5日--力旺電子今日宣佈，有別於多數供應商僅能單獨提供單次可程式(One-Time Programmable，OTP)或多次可程式(Multiple-Times Programmable，MTP)矽智財，力旺電子不僅擁有完整邏輯(Logic)製程之OTP與MTP矽智財，更進一步推出Combo與Hybrid兩種新型態解決方案，以提供客戶多元之選擇。Combo解決方案為個別獨立之OTP與MTP矽智財的結合使用，Hybrid矽智財則是將OTP與MTP整合為單一矽智財的解決方案。客戶可依其應用需求，從力旺電子Floating-Gate系列產品線中自由選擇搭配OTP與MTP矽智財，有效取代外掛式EEPROM或嵌入式快閃記憶體(Embedded Flash，eFlash)，使元件體積精簡、讀寫速度大幅提升，最高可節省50%之生產成本，是穿戴式裝置、行動通訊、物聯網等應用晶片客戶的最佳選擇。
消費性電子廣泛使用的晶片如微控制器晶片(Microcontroller，MCU)，都需使用OTP或MTP記憶體，以滿足儲存運算指令、參數設定及存取程式等需求。因應不同產品應用，功能簡易者可選擇OTP以降低晶片成本，而功能較複雜的MCU，則需搭配MTP使用。然受限於市場上傳統記憶體解決方案，IC設計公司被迫使用成本較高、過高規格(Over Quality)的外掛式EEPROM或昂貴的eFlash製程，進而大幅影響其產品競爭力。
瞄準此市場需求，力旺電子推出高競爭優勢之Combo與Hybrid解決方案。客戶可以依其晶片特性與需求，從力旺電子的OTP與MTP產品中自由選擇並組合成多元Combo矽智財，不僅可將記憶體組合彈性極大化，亦能在成本上達到最大競爭力。以內嵌Combo矽智財取代8 Bits MCU中昂貴的外掛24C02 EEPROM，能大幅降低50%的生產成本，搭配力旺優異的設計，同時減少耗電量，有效延長待機時間。晶片效能上，不僅能將讀寫速度分別提升100倍與16倍，更能克服外掛式晶片資料容易遭到竊取的缺點，強化資料保密功能。
Hybrid解決方案是將NeoBit與NeoMTP矽智財整合為單一矽智財，透過分享OTP與MTP相同功能的週邊線路，不僅能大幅縮小矽智財元件體積，亦可防止不同來源矽智財間訊號傳遞障礙造成的雜訊以及能耗，優化性能。客戶能依其應用需求客製化Hybrid矽智財中OTP與MTP矽智財的比例，達成矽智財體積最佳化，大幅節省測試時間，提升產品競爭力。除此之外，Hybrid解決方案更能協助MCU晶片由昂貴的eFlash製程改為邏輯製程，或進一步選用僅需14道光罩的綠(Green)製程，有效節省生產成本。
力旺電子Combo與Hybrid矽智財擁有與邏輯製程完全相容之優勢，不需額外增加光罩，能快速導入力旺電子廣泛佈局於全球8吋晶圓廠0.11微米至0.25微米之邏輯製程，以及邏輯製程衍生之混合訊號(Mix-Mode)、BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)、高壓(High-Voltage，HV)與綠製程平台，提高客戶量產靈活度並加速產品開發時間機，滿足其成本、尺寸、安全及效能的多元需求，非常適合MCU、射頻晶片(Radio Frequency ICs，RFIC)、系統晶片(SoC)、電源管理晶片(Power Management ICs，PMIC)、指紋辨識晶片(Fingerprint Sensor)、觸控顯示驅動晶片(Touch Panel Controller)，以及將顯示、觸控功能二合一之整合型觸控顯示驅動晶片(Touch with Display Driver ICs，TDDI)等應用。
關於力旺電子：
力旺電子(股票代碼: 3529)成立於2000年8月，專注於邏輯製程嵌入式非揮發性記憶體矽智財開發。自成立迄今，力旺電子投入研發自有創新技術，開發出NeoBit(一次性與多次性讀寫編程元件)、NeoFuse(一次性與多次性讀寫編程元件)、NeoMTP(1千次以上重複讀寫編程元件)、NeoFlash(1萬次以上重複讀寫編程元件)、NeoEE(10萬次以上重複讀寫編程元件)等領先性產品，並持續發展先進技術，致力於提供客戶廣泛的矽智財技術服務、非揮發性記憶體元件與嵌入式記憶體應用等，為全方位之嵌入式非揮發性記憶體矽智財供應商。如需取得更多力旺相關資料，請參見官方網站：www.ememory.com.tw.
