2015年7月15日--飛思卡爾半導體(NYSE: FSL)今天推出了兩款新式寬頻RF功率放大器 – 全新的Airfast AFIC901N LDMOS RF整合裝置和AFT05MS003N LDMOS電晶體。兩種產品都可以在3.6伏特或7.5伏特運作，主要目標為設計上極為注重無線電導航所需電力、以及電池壽命效益的應用類型。
舉例來說，行動無線電系統正從類比調變逐步轉換為數位調變方式，此一過程通常需要重新設計無線電。飛思卡爾最新型RF功率裝置獨步市場的效率，讓地面行動無線電代工廠商可以利用新型電晶體的性能來提升電池壽命。此外，元件的高增益值有助於減少電晶體數量，進而降低物料成本。無線電設計師也可以透過現有的參考設計電路來縮短自家產品的上市時間。
飛思卡爾的新款Airfast AFIC901N LDMOS RF整合式裝置和AFT05MS003N LDMOS電晶體的設計都可以因應這些挑戰，寬頻帶足以涵蓋從136到941 MHz之間的所有頻帶。它們還提供高效率和增益，並採用緊湊、輕便的超模壓塑封裝當中。它們傑出的強韌性(> 65:1 VSWR)更適於高強度的手持無線電。
兩款電晶體都十分適於搭配飛思卡爾的微控制器系列，應用在如自動抄表以169 MHz、434 MHz或868 MHz上運作，可以經濟地提升應用通訊範圍。它們同時也十分適合用在其他機器間應用、以及管理控制和資料擷取(SCADA)系統上。
AFIC901N兩級LDMOS元件可提供1瓦CW的RF輸出功率，在VHF頻率136到174 MHz之間的效率達到百分之63、增益值則有30 dB。產品包覆在一個4x4的QFN封裝當中。當它提供全力的30dBm額定電力時，輸入電力只需0 dBm，它消除了預先放大的需求。AFIC901N還從元件外部的輸出入端提供RF匹配的彈性，在兩級之間亦然。這有助於設計師針對特定系統需求如多重無線電頻帶等等，更改電路板上少數的分散元件，就能將元件最佳化。
單級AFT05MS003N提供3瓦的CW功率。它涵蓋136到941 MHz，VHF頻帶的增益值達17 dB、效率百分之67，並擁有不匹配輸入和輸出。AFT05MS003N採用SOT-89射出成形塑膠封裝。兩種新的電晶體都加入了飛思卡爾獨步市場的直流7.5到12.5伏特Airfast電晶體產品線，供給行動通訊和1到75瓦之間的M2M無線電應用。
供貨方式
AFT05MS003N現已量產，AFIC901N也已推出樣品。兩者的VHF (135到175 MHz)與UHF (350到520 MHz)的樣品和參考設計也都已經面世。價格或是其它資訊請洽當地飛思卡爾業務單位，或參閱www.freescale.com/RF。
AFT05MS003N現已量產，AFIC901N也已推出樣品。兩者的VHF (135到175 MHz)與UHF (350到520 MHz)的樣品和參考設計也都已經面世。價格或是其它資訊請洽當地飛思卡爾業務單位，或參閱www.freescale.com/RF。
關於飛思卡爾半導體
飛思卡爾半導體(NYSE:FSL)為未來互聯網提供安全可靠的嵌入式處理解決方案。我們的解決方案幫助實現更多創新,讓世界緊密連接,生活更便捷和安全。飛思卡爾的客戶包括全球規模最大的公司,並且,我們致力於對科學、技術、工程和數學(STEM)方面教育的支援,推動新生代的創新。如需瞭解更多資訊,請訪問www.freescale.com
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