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英飛凌推出 OptiMOSTM 300 V 提高硬式切換應用之效率以及全新的設計可能性

本文作者:英飛凌       點擊: 2015-06-10 10:02
前言:
2015年6月10日--英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTCQX:IFNNY) 推出 OptiMOSTM 300 V,進一步擴展中電壓 MOSFET 產品組合,在功率 MOSFET 市場樹立了新標準。推出新產品以後,英飛淩將持續鞏固其市場領導者的地位,為電信系統、不斷電系統 (UPS)、馬達控制、工業用電源供應器和DC/AC變頻器等應用提供提升能源效率的解決方案。
 

 
全新 OptiMOS 300 V 具極高的可靠性,有助於系統設計人員提高功率密度並降低成本。對終端使用者而言,可有效節省能源成本。例如,以DC/AC變頻器這類硬式切換應用而言,OptiMOS 300 V 能在MOSFET減少 50% 的消耗。如此一來就能提高切換頻率,進而減少被動元件及解決方案的體積。此外,OptiMOS 300 V 也提供電壓突波餘裕,提高 60 V 電信電源的可靠度和安全性,也讓設計更簡易。串接式高壓切換式電源供應器所需的層級也會減少。除此之外,OptiMOS 300 V 將讓 110 V AC UPS 成為真正的產品。
 
英飛淩 DC/DC 事業處副總裁暨總經理 Richard Kuncic 表示:「憑藉 300 V 的阻隔能力,英飛淩讓指標性的 OptiMOS 技術進一步涵蓋目前仍不是主流的電壓等級,支援新興的應用領域,例如多階轉換器。因為 OptiMOS 技術的效能表現出色,應用層面廣泛,我們期許這個電壓等級成為功率 MOSFET 市場的新標準。」
 
OptiMOS 300 V 內建快速二極體技術,逆復原電荷 (Qrr) 較市場上次佳的同類型產品降低了 70%。這項功能讓本體二極體的切換更順利,並能極小化電壓尖波。OptiMOS 300 V採用 TO-220 封裝,提供業界最佳的導通電阻 RDS(on) ,相較於市面上其他產品,其優值係數 (FOM: RDS(on) x Qg) 降低了 58%,因此能為高電流應用(例如馬達控制)提供低導通電阻與更佳的整體效率。
 
上市時間
OptiMOS 300 V 提供兩種封裝:D2PAK 封裝 (導通電阻 RDS(on) 為 40.7 mΩ) 以及 TO-220 封裝 (導通電阻 RDS(on) 為 41 mΩ)。兩種封裝皆已開始量產。關於 OptiMOS 300 V 的詳細資訊,請參閱:
www.infineon.com/optimos-300v
 
關於英飛凌
全球半導體領導廠商英飛凌 (Infineon Technologies AG) 提供各式半導體和系統方案,以因應現今社會的三大挑戰,包括能源效率 (energy efficiency)、移動性 (mobility)與安全性(security)。2014會計年度(截至9月底) 公司營收為43億歐元,全球員工約為29,800名。2015 年1月,英飛凌併購功率管理技術領導廠商美商國際整流器公司(International Rectifier,2014年會計年度營收為 11億美元,員工人數約4,200名)。

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