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力旺電子為物聯網應用推出超低功耗MTP矽智財

本文作者:力旺電子       點擊: 2015-06-05 14:35
前言:
2015年6月5日--力旺電子今日宣佈,其新開發之超低功耗多次可程式(Multiple-Time Programmable,MTP)矽智財具有3μW以下低讀取功耗、0.7 V低讀取電壓、10萬次以上多次存取、尺寸微小與優異的成本優勢,可取代過去物聯網應用普遍採用的外掛式EEPROM晶片,提升資訊安全,或協助客戶將昂貴的嵌入式EEPROM製程改為邏輯(Logic)製程生產,強化成本競爭力,為應用客戶搶攻物聯網(IoT)商機的最佳選擇。

力旺電子MTP矽智財擁有輕薄短小、省電、高效能、資料安全、同時兼顧成本競爭力的特性,可廣泛支援物聯網相關產品應用,包含聯網(Connectivity)、資料運算(Processing)、感測(Sensing)、電源管理(Power Management)與安全(Security)五大領域,特別適合2.4GHz無線射頻晶片(Radio Frequency IC,RFIC IC)、微控制器(Microcontroller,MCU)、微機電控制晶片(MEMS Controller)、影像感測器晶片(CMOS Image Sensor,CIS)與電源管理晶片(Power Management IC,PMIC)。新開發完成之超低功耗MTP矽智財提供低電壓與低功耗的優勢,更能為物聯網大量運用之無線射頻辨識晶片(Radio Frequency Identification IC,RFID IC)、近場無線通訊晶片(Near Field Communication IC,NFC IC)與藍牙晶片(Bluetooth IC)提升附加價值。

力旺電子超低功耗MTP矽智財與標準CMOS邏輯製程完全相容,無需增加額外光罩,易於轉廠及整合至不同製程平台,現已佈建於0.11微米低漏電製程平台上,其功能廣泛涵蓋組態設定(Configuration Setting)、狀態儲存(Status Storage)、調校(Trimming)與金鑰儲存(Security Key Storage)。透過內矽智財取代傳統外掛式EEPROM晶片,能同時克服外掛式晶片資料容易遭到竊取的缺點,以及有效降低客戶產品生產成本。其低抹寫消耗電量的特性,亦可有效降低能耗,提高電子產品電池續航力的優勢,使超低功耗MTP矽智財成為物聯網應用客戶強化市場競爭力的最佳利器。

關於力旺電子:
力旺電子(股票代碼:3529)成立於2000年8月,專注於邏輯製程嵌入式非揮發性記憶體矽智財開發。自成立迄今,力旺電子投入研發自有創新技術,開發出NeoBit(一次性與多次性讀寫編程元件)、NeoFuse(一次性與多次性讀寫編程元件)、NeoMTP(一千次以上重複讀寫編程元件)、NeoFlash(一萬次以上重複讀寫編程元件)、NeoEE(十萬次以上重複讀寫編程元件)等領先性產品,並持續發展先進技術,致力於提供客戶廣泛的矽智財技術服務、非揮發性記憶體元件與嵌入式記憶體應用等,為全方位之嵌入式非揮發性記憶體矽智財供應商。如需取得更多力旺相關資料,請參見官方網站:
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