宜普電源轉換公司的7 mΩ、200 V及5 mΩ、150 V氮化鎵功率電晶體可以進一步擴大與其他元件相比的績效差距
前言：
eGaN®功率電晶體在功率轉換領域繼續實現更高的性能。該電晶體系列具備更低的導通電阻、更低的電容、更大的電流及優越的散熱性能，從而實現具備更高的功率密度的轉換器。
2015年5月29日--宜普電源轉換公司宣佈推出兩個可以提高電源轉換效率的eGaN®FET。這些產品的工作溫度最高達150°C。150 V的EPC2033的脉衝電流爲200 A及200 V的EPC2034的脉衝電流爲140 A。應用範圍包括DC/DC轉換器、DC/DC與AC/DC轉換器的同步整流應用、馬達驅動器、LED照明及工業自動化等應用。
這些產品採用具有1 mm間距的焊球，進一步擴大EPC的“寬間距”元件系列。更寬闊的間距可在元件的底部放置額外及較大的通孔，使得元件以超小型尺寸（2.6 mm x 4.6 mm）實現大電流承載能力。
開發板
爲了簡化對這些高效的氮化鎵場效應電晶體進行評估，EPC推出EPC9047開發板，使得工程師可以容易對EPC2033“在電路中”的性能進行評估。該開關板包含了所有重要元件以易於與任何轉換器連接。
EPC9047開發板採用半橋拓撲，尺寸爲2英寸乘1.5英寸。該板含兩個EPC2033 eGaN FET、採用德州儀器的UCC27611閘極驅動器、電源及旁路電容。該開關板配備了所有重要元件並採用可實現最優開關性能的佈局及備有多個探孔以幫助工程師測量出簡單的波形及計算效率。
實時供貨詳情
EPC2033及EPC2034功率電晶體可以立即透過Digi-Key公司購買。
EPC9047開發板的單價爲137.75美元，也可以立即透過Digi-Key公司購買。
關於氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）的設計信息及技術支持
· 下載eGaN FET系列各個產品的數據表。
· 下載開發板及速查指南的文檔
宜普電源轉換公司簡介
宜普電源轉換公司是基於增强型氮化鎵的功率管理元件的領先供應商，爲首家公司推出替代功率MOSFET元件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括直流-直流轉換器、無線電源傳送、波峰追蹤、射頻傳送、功率逆變器、光學遙感技術（LiDAR）及D類音頻放大器等應用，元件性能比最好的矽功率MOSFET元件高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站，網址爲www.epc-co.com.tw 。
