飛思卡爾推出突破性的RF功率氮化鎵(GaN)電晶體，並採用先進塑膠封裝
前言：
兩款新產品提供前所未見的RF PA頻寬與熱效能，十分適於新一代的軍用及民用通訊應用
2015年5月18日--全球射頻(RF)功率電晶體領導廠商飛思卡爾半導體[NYSE: FSL]今天宣布，推出兩款超寬頻帶RF功率氮化鎵(GaN)電晶體，並採用先進的塑膠封裝。透過新封裝和產品，飛思卡爾在發揮GaN效能的真正潛力、以及提供業界效能最佳的氮化鎵元件這兩大任務上，確實大有進展。
飛思卡爾RF業務資深副總裁暨總經理Paul Hart表示：｢這兩種產品獨步業界的頻寬讓我們的客戶得以換掉兩到三個額外的RF PA，以單一RF產品代替，大幅降低系統成本。此外，這兩種元件的超低熱阻抗讓客戶得以降低冷卻系統成本，或是在更高的外殼溫度下做全額CW-功率運轉。」
新式的OM-270封裝提供雙引線與八引線等組態，將飛思卡爾的專屬OMNI™RF塑膠封裝技術延伸至目前最小的輪廓上，並增加了與氮化鎵的相容性。
飛思卡爾RF封裝研發主管Mali Mahalingam指出：｢我們以冶金原理改良了將位在碳化矽基座上的氮化鎵晶片與銅材質結合的能力，並加以套模處理，達到前所未見的熱效能。此外，這個新式封裝平台支援複雜的內部匹配方式，可達成出色的寬頻帶效能。」
飛思卡爾頭兩種塑膠RF功率氮化鎵電晶體，採用先進的封裝技術，並提供嶄新的效能等級如下：
• MMRF5015N：100瓦、50伏特、真正CW超寬頻帶氮化鎵電晶體，最適於高功率軍用及民用通訊系統。MMRF5015N可以大幅改進熱阻抗值，低於每瓦攝氏0.8°，這表示比對手產品的效果高出30%。MMRF5015N現已有評估用樣品供應，它在200-2500 MHz的全頻帶都展現出極為出色的至少12分貝增益、以及40%的效率。
• MMRF5011N：10瓦、28伏特、真正CW超寬頻帶電晶體，在現有的應用電路上可展現出200-2600 MHz的頻寬。非常適於較低功率的軍用和民用手持無線電通訊裝置，MMRF5011已有樣品上市。
飛思卡爾早前在2015年度國際微波討論會(IMS)的#3031號攤位展示這些電晶體。
兩種新產品都預計於2015年第3季量產，並涵蓋在飛思卡爾的產品永續計畫中，其它RF軍用產品系列亦然。有關該計畫的內文和條件，以及涵蓋的完整產品清單，請參閱：www.Freescale.com/productlongevity。
關於飛思卡爾半導體
飛思卡爾半導體(NYSE:FSL)為未來互聯網提供安全可靠的嵌入式處理解決方案。我們的解決方案幫助實現更多創新,讓世界緊密連接,生活更便捷和安全。飛思卡爾的客戶包括全球規模最大的公司,並且,我們致力於對科學、技術、工程和數學(STEM)方面教育的支援,推動新生代的創新。如需瞭解更多資訊,請訪問www.freescale.com
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關於飛思卡爾技術論壇
十年以來，飛思卡爾技術論壇(FTF)為業界最完備嵌入式生態合作體系之一，不斷推動創新與合作。FTF提供客戶所需的訓練和專業，以便催生物聯網所需的安全嵌入式解決方案—從當下到未來皆然。FTF將舉辦為期四天的深入訓練、上手的實作練習、由飛思卡爾和週邊夥伴提供的展示，以及絕無僅有、與業界夥伴以及遠見人士交流的機會。論壇長久以來都受到全球開發社群的熱情支持，自2005年開辦以來，吸引全世界參與人數超過67,500名。FTF將於2015年6月22-25日間於美國德州奧斯丁舉行。
十年以來，飛思卡爾技術論壇(FTF)為業界最完備嵌入式生態合作體系之一，不斷推動創新與合作。FTF提供客戶所需的訓練和專業，以便催生物聯網所需的安全嵌入式解決方案—從當下到未來皆然。FTF將舉辦為期四天的深入訓練、上手的實作練習、由飛思卡爾和週邊夥伴提供的展示，以及絕無僅有、與業界夥伴以及遠見人士交流的機會。論壇長久以來都受到全球開發社群的熱情支持，自2005年開辦以來，吸引全世界參與人數超過67,500名。FTF將於2015年6月22-25日間於美國德州奧斯丁舉行。
