宜普電源轉換公司擴大具有寬間距、以小尺寸實現大電流承載能力的氮化鎵場效應電晶體（eGaN® FET）系列
前言：
宜普電源轉換公司(EPC)推出採用高性能、寬間距的晶片規模封裝的全新氮化鎵(eGaN®)功率電晶體，進一步擴大其功率電晶體系列、易於實現高產量並與成熟的製造工藝及組裝生產線相容
2015年5月22日--宜普電源轉換公司宣佈推出3個採用具有更寬間距連接的佈局的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）。這些產品採用具有1 mm間距的焊球，進一步擴大EPC的“寬間距”元件系列。更寬闊的間距可在元件的底部放置額外及較大的通孔，使得元件以超小型尺寸（2.6 mm x 4.6 mm）實現大電流承載能力。
與具有相同的電阻的先進矽功率MOSFET元件相比，這些全新電晶體的尺寸小很多及其開關性能高出很多倍，是高頻DC/DC轉換器、DC/DC及AC/DC轉換器的同步整流應用、馬達驅動器及D類音頻放大器等應用的理想元件。
|
元件型號 |
VDS |
RDS(on) |
QG |
ID |
價格 |
|
40 V |
1.8 mOhm |
18 nC |
495 A |
$3.46 |
|
|
60 V |
2.0 mOhm |
17 nC |
450 A |
$3.48 |
|
|
100 V |
3.0 mOhm |
14 nC |
300 A |
$3.52 |
供貨詳情
以上3個產品皆可以立即透過Digi-Key公司購買。
關於氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）的設計資訊及技術支援
下載eGaN FET系列各個產品的數據表。
宜普電源轉換公司簡介
宜普電源轉換公司是基於增强型氮化鎵的功率管理元件的領先供應商，爲首家公司推出替代功率MOSFET元件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括直流-直流轉換器、無線電源傳送、波峰追蹤、射頻傳送、功率逆變器、光學遙感技術（LiDAR）及D類音頻放大器等應用，元件性能比最好的矽功率MOSFET元件高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站，網址爲www.epc-co.com.tw 。
