2015年5月21日--全球高效能半導體訊號處理解決方案領導廠商Analog Devices, Inc. (ADI)公司推出一款為9 KHz到13 GHz特定頻段應用的吸收式單刀雙擲（SPDT）開關，具備了在8 GHz操作時48 dB高隔離度和0.6 dB低插入損耗性能表現。HMC1118LP3DE是ADI新型射頻和微波控制產品陣容中，首款展現矽製程技術先天優勢的產品，提供了超越傳統砷化鎵射頻開關的關鍵優勢。這些優勢包括比砷化鎵快一百倍的穩定時間，強大的靜電放電（ESD）保護（2000V vs.砷化鎵的250V），並具有延長開關的低頻端較砷化鎵低一千倍的能力，同時維持高線性度。
HMC1118LP3DE還提供了4 W通過業界領先的RF功率處理功能與0.5W 的熱切換工作模式。熱切換功率處理比使用類似RF頻寬的同級元件性能好兩倍以上，這讓工程師得以在應用方案和系統中增加容許的RF功率，而無損壞零件的風險。 HMC1118LP3DE在高達13 GHz寬工作頻率範圍內達到高隔離度和極度平坦傳輸特性最佳化，同時維持降至9 kHz的高訊號保真度。這些特性組合使這款開關適用於要求嚴苛的量測、自動測試設備、國防電子和無線通訊應用方案，以作為較傳統砷化鎵開關一種更低成本的替代方案。
查看產品頁面下載及資料手冊: http://www.analog.com/hmc1118
讓ADI技術論壇EngineerZone®上的ADI工程師給您答疑解惑：https://ez.analog.com/community/data_converters/high-speed_dacs
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HMC1118LP3DE 單刀雙擲開關 主要特性：
• 非反射性50歐姆設計
• 正控制：0/+3.3 V
• 低插入損耗： 在8 GHz為0.68 dB
• 高隔離度: 在8 GHz為50 dB
• 9 KHz低截止頻率
• 應用於0.05 dB最終射頻輸出位準,具7.5微秒快速穩定時間
• 業界領先的高功率處理功能：
o 35.5 dBm直通路徑
o 27 dBm的終止路徑和熱切換情況
• 高線性度：
o P1dB：+37 dBm(典型值)
o IIP3：+61 dBm(典型值)
• ESD額定值：2-KV HBM
• 非反射性50歐姆設計
• 正控制：0/+3.3 V
• 低插入損耗： 在8 GHz為0.68 dB
• 高隔離度: 在8 GHz為50 dB
• 9 KHz低截止頻率
• 應用於0.05 dB最終射頻輸出位準,具7.5微秒快速穩定時間
• 業界領先的高功率處理功能：
o 35.5 dBm直通路徑
o 27 dBm的終止路徑和熱切換情況
• 高線性度：
o P1dB：+37 dBm(典型值)
o IIP3：+61 dBm(典型值)
• ESD額定值：2-KV HBM
價格和供貨情況
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產品 |
每千顆單價 |
封裝 |
|
HMC1118LP3DE |
$6.18 |
3-mm × 3-mm QFN SMT |
關於ADI公司
Analog Devices, Inc.（簡稱ADI）始終致力於設計與製造先進的半導體產品和優秀的解決方案，憑藉傑出的感測、測量和連接技術，搭建連接真實世界和數位世界的智慧化橋樑，從而協助客戶重新認識周圍的世界。詳情請瀏覽ADI官網http://www.analog.com
