當前位置: 主頁 > 新品報到 >
 

安森美半導體推出全新的中壓N型通道MOSFET陣容

本文作者:安森美       點擊: 2015-05-19 13:02
前言:
經優化用於減少開關、傳導及驅動器功率損耗以提升能效
2015年5月19日--推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號: ON),針對資訊網路、電信和工業應用推出新的高能效單N型通道功率MOSFET系列,進一步擴大其廣泛的產品陣容。
 

 
這些器件能提供低得令人難以置信的傳導電阻RDS(on) 值,從而將傳導損耗降至最低並提升整體工作效能。它們還有低至2164皮法(pF)的門極電容(Ciss),以確保盡可能保持低驅動損耗。
 
安森美半導體新的NTMFS5C404NLT, NTMFS5C410NLT 和 NTMFS5C442NLT MOSFET額定擊穿電壓為40伏(V),最大傳導電阻值(Vgs為10 V時)分別為0.74毫歐(mΩ)、0.9 mΩ和2.8 mΩ,連續漏電流分別為352安(A)、315 A和127 A。與這些器件相輔相成的NTMFS5C604NL,NTMFS5C612NL 和 NTMFS5C646NL,額定擊穿電壓60 V,最高導通電阻分別為1.2 mΩ、 1.5 mΩ 和 4.7 mΩ,而相關的連續漏電流為287 A、 235 A 和 93 A。40 V和60 V的這兩種器件的額定工作接面溫度都高達175 ˚C,從而為工程師的設計提供更大的熱餘裕。安森美半導體將推出採用更多的電阻值和不同的封裝,如micro8FL、DPAK 和 TO220來擴大此產品線。
 
安森美半導體功率分立產品副總裁兼總經理Paul Leonard說:「OEM的工程團隊不斷致力於創建更高效能的電力系統設計,同時佔用更少用板空間。我們新加的器件擴大了我們廣泛的功率MOSFET產品陣容,為客戶提供高性能的器件,採用緊密的、高熱能效的封裝,幫助他們達到更高效能的設計目標。」
 
封裝和定價
NTMFS5C404NL、 NTMFS5C410NL、 NTMFS5C442NL、 NTMFS5C604NL、NTMFS5C612NL 和 NTMFS5C646NL都採用緊密的、符合RoHS的SO8FL (DFN-8)封裝,每10,000片批量的單價從0.42美元起。
 
訪問安森美半導體於PCIM的展台-9號展館展台559

關於安森美半導體
安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)致力於推動高能效電子的創新,使客戶能夠減少全球的能源使用。安森美半導體領先於供應基於半導體的方案,提供全面的高能效電源和信號管理、邏輯、標準及定制器件陣容。公司的產品幫助工程師解決他們在汽車、通信、電腦、消費電子、工業、醫療及軍事/航空應用的獨特設計挑戰。公司運營敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質項目,及在北美、歐洲和亞太地區之關鍵市場運營包括製造廠、銷售辦事處及設計中心在內的業務網路。更多資訊請參考:
http://www.onsemi.com

電子郵件:look@compotechasia.com

聯繫電話:886-2-27201789       分機請撥:11